芯片平面磨床的發(fā)展歷程

初期的用以芯片生產(chǎn)加工的數控磨床由工具磨床改裝而成，用平行面砂輪磨削芯片。磨削硅片的平整度為0．3μｍ/200ｍｍ，表面粗糙度Ｒｙ0．02μｍ，能夠替代碾磨。用砂輪磨削芯片時(shí)，因為砂輪總寬比較有限，務(wù)必開(kāi)展橫著(zhù)走刀磨削，磨削精度和磨削效率較低。

現階段芯片磨削普遍選用專(zhuān)門(mén)的芯片平面磨床，在其中具備象征性的是根據旋轉工作臺磨削基本原理的超精密磨床和根據硅片自轉動(dòng)磨削基本原理的超精密磨床。旋轉工作臺工具磨床是應用較早的芯片超精密磨床，這類(lèi)數控磨床應用負壓空氣軸承的砂輪主軸軸承，選用杯型金鋼石砂輪開(kāi)展內孔磨削，與選用平行面砂輪的工具磨床對比，砂輪半徑不受到限制，不用橫著(zhù)走刀，因此具備較高的磨削效率。一般選用往復式磨削或緩走刀磨削方法，運用旋轉工作臺能夠 與此同時(shí)開(kāi)展雙片芯片的生產(chǎn)加工。與碾磨方式對比，旋轉工作臺式內孔磨削具備原材料污泥負荷高，硅片表層損害小，非常容易建立智能化的優(yōu)勢?？墒?，因為磨削全過(guò)程中砂輪與硅片間的觸及長(cháng)短、觸碰總面積、進(jìn)入視角θ（砂輪內孔與產(chǎn)品工件內孔中間交角）隨砂輪與產(chǎn)品工件相對位置的變動(dòng)而轉變 ，因而，磨削力無(wú)法保證穩定。轉變的反向磨削力造成的技術(shù)體系的彈性變形使硅片造成中凸狀況；當磨削砂輪離去硅片時(shí)，砂輪與硅片間的選擇視角θ明顯減少，會(huì )造成硅片塌邊狀況。因而，運用旋轉工作臺內孔數控磨床替代碾磨和浸蝕工藝技術(shù)時(shí)無(wú)法獲得理想的臉形精度和表層質(zhì)量。尤其是芯片半徑擴大后，數控磨床旋轉工作臺的大小也相對要擴大很多，會(huì )對工作臺面提出更多的規定。除此之外，數控車(chē)床占有室內空間和能耗也相對增加。